本书简要阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件内涵、特点、研究意义与国内外发展现状；对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析；重点论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体情况与发展趋势，并论述了宽禁带紫外半导体激射原理，电真空光电倍增原理与复合探测机制，真空半导体电子倍增成像器件以及未来光电调制技术等。本书可供从事空间光电技术领域的科技人员使用，也适合光学
工程、通信工程等学科的高年级本科生、研究生和高等学校教师参考和阅读。
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第1章 绪论 91.1 光电子器件的瞬态 9
1.2 半导体紫外光发射器研究现状与进展 9
1.3 真空半导体器件瞬态优势与艾里光束的非线性瞬态调制技术 16
第2章 宽禁带半导体电光器件瞬时激射 202.1 异质结器件电瞬时发光机理 20
2.2 异质结薄膜的MIS结紫外光发射器件 302.2.1 波长调控机理 30
2.2.2 器件制备流程与工艺 31
2.2.3 异质结薄膜MIS结制备 34
2.2.4 MIS结光发射器件的电泵浦随机激光 36
2.3 波长可调的紫外电致发光和随机激光 412.3.1 MIS结光发射器件的制备 41
2.3.2 波长可调的电致发光和随机激光 42
2.3.3 电致发光机制与讨论 44
2.4 MIS结激光二极管的瞬态技术 482.4.1 纳米线阵列的水热合成与物性 48
2.4.2 纳米线性能提升 50
2.4.3 纳米线的光学和电学输运性质 53
2.4.4 纳米线的电泵浦受激发射和机制 56
2.5 本章小结 63
第3章 电真空光电倍增与复合探测原理 653.1 电真空光电倍增器件复合探测的应用背景与原理 653.1.1 复合探测的应用背景 65
3.1.2 复合探测原理 69
3.2 微通道空间波导阳极复合探测器件 713.2.1 复合波导阳极结构与工作原理 71
3.2.2 复合波导阳极设计原理与特性 75
3.3 器件级电子光学系统设计、工艺与验证 783.3.1 器件级工艺与实现 78
3.3.2 复合探测原理性验证 84
3.4 微通道空间复合波导栅型复合探测器件 86
3.5 本章小结 91
第4章 EBAPS瞬时光电倍增器件 924.1 EBAPS的基本结构及原理 92
4.2 入射光电子在电子倍增层中的散射模型 944.2.1 入射光电子的运动轨迹基本模型 94
4.2.2 散射截面 95
4.2.3 非弹性散射的能量损失 96
4.2.4 坐标系变换 97
4.2.5 计算机模拟电子运动轨迹的物理模型 98
4.3 EBAPS中电子倍增层内电子散射特性的影响因素 1004.3.1 入射光电子能量对电子散射特性的影响研究 100
4.3.2 死层厚度与能量损失率的关系 102
4.3.3 掺杂浓度对倍增层内电子散射特性的影响 103
4.3.4 入射光电子束直径与电子散射特性的关系研究 103
4.3.5 倍增电子分布模拟研究 104
4.4 EBAPS电荷收集效率理论模拟与测试方法 1064.4.1 基底均匀下EBAPS电荷收集效率理论模拟研究 106
4.4.2 基底梯度掺杂下EBAPS电荷收集效率理论模拟研究 110
4.4.3 EBAPS电子倍增层增益的测试方法 114
4.5 本章小结 117
第5章 新型无衍射表面波及艾里光束瞬态非线性调制技术 1185.1 光折变表面波与自加速艾里光束 118
5.2 LiNbO_3晶体界面处表面波的调制原理 1265.2.1 调制理论模型与数据分析 126
5.2.2 表面波激发实验结果 128
5.2.3 表面波诱导波导理论 131
5.3 克尔介质中艾里孤子的产生与瞬时调制 1355.3.1 艾里孤子的调制机理 135
5.3.2 艾里孤子的空间瞬时调制 137
5.3.3 艾里孤子的空间稳定性与瞬时调制 140
5.3.4 艾里光束的交互作用及其瞬时调制 142
5.4 饱和非线性介质中艾里高斯光束的传输与交互的调制 1475.4.1 艾里高斯光束的传输与调制机理 147
5.4.2 双艾里高斯光束交互作用的调制 153
5.5 本章小结 158
参考文献 160
英文缩写表 171
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